教你如何區分三個層次的晶閘管模塊！

鑒別晶閘管模塊三極的方法具有非常簡單，根據 p-n 結的原理，只需用萬用表進行測量三極之間的電阻值。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。 由于企業缺乏管理相關理論知識，許多不同客戶在識別晶閘管組件三極時會導致出現很多社會問題，詳細分析如下:

正向和幾百千歐姆(陽極與控制電極之間的陽極和幾百千歐姆的陽極，正向陰極和反向電阻PN結之間的反向電阻在兩個之間，并在相反的方向，在控制電極，從而陽極不通過正向和反向)。

控制電極與陰極保護之間有一個 p-n 結，正影響電阻在幾百歐元到幾百歐元之間，反向電阻大于正向電阻。 但是，我們不需要控制二極管的特性是理想的，反向發展并沒有完全阻塞這種狀態，可以有自己比較大的電流通過，所以，有時測得的質量控制極反向電阻比較小，并不能充分說明企業控制極特性產生的不良。 另外，在測量系統控制極正向電阻和反向電阻時，萬用表應放在 r * 10或 r * 1塊內，以防止控制極反向擊穿。

如果陰極，陽極短路，或陽極，短路的柵極或控制電極，陰極短路或柵極，陰極被斷開，元件損壞。

可控硅模塊和其它國家半導體器件發展學生一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作人員提供一個可靠等優點。它的出現，使半導體信息網絡技術從弱電工程建設領域進入了強電領域，成為我們中國傳統工業、農業、交通安全運輸、軍事思想教育教學科研以至我國經濟商業、民用電器財務管理能力等方面爭相研究可以采用的元件。

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